Οι φήμες δίνουν και παίρνουν για το επερχόμενο Galaxy S8 της Samsung. Τα τελευταία νέα που έρχονται από την Κίνα αφορούν την μνήμη RAM που θα έχει στο εσωτερικό της η συσκευή καθώς και την τεχνολογία που θα χρησιμοποιηθεί για αυτό.
Μέχρι και σήμερα οι φήμες ήθελαν το επερχόμενο Galaxy S8 να έρχεται με 6GB RAM και 256GB αποθηκευτικό χώρο στο δίσκο.
Ωστόσο, μια νέα φήμη που προέρχεται από την Κίνα υποστηρίζει το Galaxy S8 θα είναι πρώτο smartphone στον κόσμο που θα διαθέτει 8GB RAM.
Σύμφωνα με τον Κινέζο leakster, η Samsung θα ξεκινήσει τη δική της παραγωγή μνήμης στα 8GB RAM, χρησιμοποιώντας την τεχνολογία 10nm. Αναφέρει δε ότι για τα 256GB εσωτερικής μνήμης θα χρησιμοποιηθεί τεχνολογία αποθήκευσης UFS τεχνολογία UFS 2.1 flash storage.
Η τεχνολογία UFS 2.1 flash storage θα είναι μια ενημερωμένη έκδοση του UFS 2.0, που θα περιλαμβάνει βασικές βελτιώσεις σε σχέση με προηγούμενες εκδόσεις και θα παρέχει ασφάλεια των δεδομένων με τη χρήση inline κρυπτογραφίας μεταξύ του system-on-chip (SoC) και της συσκευής αποθήκευσης UFS.
Το Galaxy S8 υποτίθεται ότι είναι μεταξύ των πρώτων συσκευών που θα χρησιμοποιεί τον επεξεργαστή της Qualcomm Snapdragon 835, αν και οι φήμες αναφέρουν ότι η Qualcomm μπορεί να μην έχει έτοιμο το chipset μέχρι τον Απρίλιο.
Μένει να δούμε πόσες από τις φήμες θα επαληθευτούν στα τέλη Φεβρουαρίου στην εμπορική έκθεση MWC 2017.
